中金发布研报称，随着AI大芯片封装尺寸升级，玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料平台，相关核心设备环节有望率先受益。设备端建议关注两条核心投资路径：1)重点关注核心增量环节：TGV设备，在玻璃面板上高精度高密度通孔，相比TSV，工艺省略了绝缘层，并降低高速信号的损失；2)建议关注针对玻璃特性与板级封装特性的改良设备中高价值量、高技术壁垒与低国产化率设备：如PVD、电镀、曝光、检测等环节。
中金主要观点如下：
玻璃基板正处于“从0到1”阶段，核心场景为先进封装，成长潜力高。
随着AI算力芯片向更大尺寸、更高密度演进，传统CoWoS路径面临成本高、翘曲控制难、大尺寸良率瓶颈等挑战，玻璃基板凭借低热膨胀系数、低介电常数等特性，可用于临时载板、玻璃芯基板与玻璃中介层。全球头部厂商普遍在试点线建设、样品送样与客户验证阶段，该行预计2027-2028年为小批量商用关键节点。同时，玻璃基板在CPO光电共封装、消费电子、通信等领域同步打开，成长空间广阔。
玻璃基板至2030年设备累计空间近500亿元，远期渗透率打开有望达千亿元。
材料端，该行测算2030年用于玻璃中介层的CoPoSPanel市场空间为94亿元，用于玻璃芯载板的玻璃母板市场空间为415亿元;设备端至2030年累计市场空间约489亿元；该行认为随玻璃基板渗透率提升，远期设备空间有望达千亿元量级。
设备端建议关注两条核心投资路径：1)重点关注核心增量环节：TGV设备，在玻璃面板上高精度高密度通孔，相比TSV，工艺省略了绝缘层，并降低高速信号的损失；2)建议关注针对玻璃特性与板级封装特性的改良设备中高价值量、高技术壁垒与低国产化率设备：如PVD、电镀、曝光、检测等环节。其中，PVD与电镀环节较为复杂，约占产线投资40%，电镀环节壁垒高且易出现空芯包洞对基板良率影响较大，整体国产化率仍较低。
风险提示：产业化进度不及预期风险；下游需求不及预期风险。
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